5nm工艺之后，台积电正在全力冲刺3nm，并且准备了多个版本，至少包括n3、n3e、n3b。
n3是常规标准版本，n3e原本应该是性能增强版(enhanced)，2024年量产，现在却变成了精简版，规格上缩水，好消息是进度提前了。
据悉，n3e工艺将使用更少的euv光刻层，从25层缩减到21层，投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶体管密度会比n3版本低大约8％，相比n5仍然会高60％。
相比之下，n3的晶体管密度比n5要高70％。
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n3e工艺将在本月底完成设计，而投产时间将从2023年第三季度提前到2023年第二季度。
n3工艺也安排在2023年，但暂时不清楚具体哪个季度。
至于n3b版本，目前只知道它是在n3的基础上，针对特定用户的改进，但其他一无所知。