根据intel的芯片工艺路线图，到2025年之前他们要在短短4年内掌握5代cpu工艺，其中有2代还是首次进入埃米级工艺，今年下半年将要量产intel 4工艺，也就是对标友商的”4nm“工艺，也是intel首款使用euv光刻机的工艺。
目前台积电、三星已经量产了4nm工艺，不过intel自家的”4nm“工艺还是有不少特色的，特别是在性能方面，其他两家主要生产低功耗芯片，intel则是要生产高性能处理器，包括桌面及服务器级别的。
intel的这个”4nm“工艺比目前的intel （也就是没改名前的第二代10nm工艺）工艺每瓦性能提升20%，如果是对比之前的初代10nm工艺，那么性能提升超过35%。
其他方面，intel ”4nm“工艺的晶体管密度相比intel 7工艺提升100%，hp高性能库密度可达1.6亿晶体管/mm2，高于台积电5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2，接近台积电未来的3nm工艺的2.08亿晶体管/mm2水平了。
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目前intel 7工艺量产的12代酷睿及下半年的13代酷睿频率可以做到5.5ghz了，假设性能也只是提升20%，那极限频率应该可以突破6ghz了，史无前例的水平，不知道intel会不会这么做。
intel 4工艺会在明年的14代酷睿meteor lake上首发，后者也会是intel酷睿系列中首个大量使用3d foveros混合封装的处理器，主要有三个部分封装在一起，一是计算模块，二是gpu模块，多达96-192个计算单元，三是soc-lp，应该是包含内存控制器、pcie控制器等输入输出部分。